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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-563
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	3 欧姆 @ 200mA，2.7V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	280mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	50pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	50V
功率 - 最大值	150mW
关键词

产品资料

数据列表	DMN5L06V(A)
PCN 其它	Multiple Changes 14/May/2009
标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-563  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-563   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 200mA，2.7V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 200mA，2.7V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 200mA，2.7V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 欧姆 @ 200mA，2.7V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 280mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 50V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V   功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150mW