DMN601WKQ-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMN601WKQ-7
DMN601WKQ-7 -
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN601WKQ-7
仓库库存编号:
DMN601WKQ-7DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN601WKQ-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
300mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
DMN601WKQ
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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