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DMN6070SFCL-7
DMN6070SFCL-7 -
MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN6070SFCL-7
仓库库存编号:
DMN6070SFCL-7DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 600mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN6070SFCL-7产品属性
产品规格
封装/外壳
6-PowerUFDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
X1-DFN1616-6(E 类)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
12.3nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
85 毫欧 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
606pF @ 20V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
600mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
DMN6070SFCL
标准包装
1
其它名称
DMN6070SFCL-7DICT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 1.3A SOT23F
型号:
ZXMS6004FFTA
仓库库存编号:
ZXMS6004FFCT-ND
别名:ZXMS6004FFCT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN6075S-7
仓库库存编号:
DMN6075S-7DICT-ND
别名:DMN6075S-7DICT
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J356R,LF
仓库库存编号:
SSM3J356RLFCT-ND
别名:SSM3J356RLFCT
无铅
搜索
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封装/外壳 6-PowerUFDFN
Diodes Incorporated 封装/外壳 6-PowerUFDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-PowerUFDFN
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-PowerUFDFN
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 X1-DFN1616-6(E 类)
Diodes Incorporated 供应商器件封装 X1-DFN1616-6(E 类)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 X1-DFN1616-6(E 类)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 X1-DFN1616-6(E 类)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 1.5A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 85 毫欧 @ 1.5A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
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FET 类型 N 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 600mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 600mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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