DMN62D0SFD-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMN62D0SFD-7
DMN62D0SFD-7 -
MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMN62D0SFD-7
仓库库存编号:
DMN62D0SFD-7DICT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 540mA(Ta) 430mW(Ta) X1-DFN1212-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMN62D0SFD-7产品属性
产品规格
封装/外壳
3-UDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
X1-DFN1212-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.87nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
2 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
540mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
30.2pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
430mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
DMN62D0SFD
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMN62D0SFD-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
2N7002BKMB,315
仓库库存编号:
1727-1233-1-ND
别名:1727-1233-1
568-10438-1
568-10438-1-ND
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:DMN62D1LFD-7DICT
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Nexperia USA Inc.
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型号:
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仓库库存编号:
1727-2231-1-ND
别名:1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
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制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 430mW(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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