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DMN66D0LDW-7 - 

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Diodes Incorporated DMN66D0LDW-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN66D0LDW-7
仓库库存编号：
DMN66D0LDWDICT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 115mA 250mW Surface Mount SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMN66D0LDW-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  5 欧姆 @ 115mA，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  115mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  23pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  250mW  
关键词         

产品资料
数据列表 DMN66D0LDW
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
PCN 其它 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装 1
其它名称 DMN66D0LDWDICT

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