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DMNH6042SK3Q-13
DMNH6042SK3Q-13 -
MOSFET NCH 60V 25A TO252
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMNH6042SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH6042SK3Q-13DICT-ND
描述:
MOSFET NCH 60V 25A TO252
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 25A(Tc) 2W(Ta) TO-252-4L
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMNH6042SK3Q-13产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-252-4L
技术
MOSFET(金属氧化物)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8.8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 6A,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
25A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
584pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
DMNH6042SK3Q
标准包装
1
其它名称
DMNH6042SK3Q-13DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.6W(Ta) TO-252
型号:
DMNH4011SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH4011SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH4011SK3Q-13DICT
无铅
搜索
Silicon Labs
BGM123 BLUETOOTH SIP MODULE, 3 D
型号:
BGM123A256V2R
仓库库存编号:
336-3808-1-ND
别名:336-3808-1
无铅
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-252-4L
Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-252-4L
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252-4L
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252-4L
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.8nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 6A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 6A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 6A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 25A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 25V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 25V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 25V
FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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