DMP1045UFY4-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP1045UFY4-7
DMP1045UFY4-7 -
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
新产品
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号:
DMP1045UFY4-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP1045UFY4-7产品属性
产品规格
封装/外壳
3-XFDFN
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
23.7nC @ 8V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
32 毫欧 @ 4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.5A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1291pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
12V
关键词
产品资料
数据列表
DMP1045UFY4
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP1045UFY4-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 1A SOD-123
型号:
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仓库库存编号:
B130LAW-FDICT-ND
别名:B130LAW-FDICT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
535-9542-1-ND
别名:535-9542-1
无铅
搜索
Harwin Inc.
RFI SHIELD FINGER AU 1.7MM SMD
型号:
S7121-42R
仓库库存编号:
952-1739-1-ND
别名:952-1739-1
无铅
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Mill-Max Manufacturing Corp.
CONN SPRING TARGET SGL R/A 2POS
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型号:
399-10-102-10-008000
仓库库存编号:
ED8364-02-ND
别名:ED8302
ED8302-ND
ED8364-02
无铅
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封装/外壳 3-XFDFN
Diodes Incorporated 封装/外壳 3-XFDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 3-XFDFN
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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Vgs(最大值) ±8V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23.7nC @ 8V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.5A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1291pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1291pF @ 10V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 12V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 12V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 12V
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