DMP1080UCB4-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP1080UCB4-7
DMP1080UCB4-7 -
MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP1080UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1080UCB4-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 12V U-WLB1010-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 820mW(Ta) U-WLB1010-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP1080UCB4-7产品属性
产品规格
封装/外壳
4-UFBGA,WLBGA
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
U-WLB1010-4
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
-6V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
80 毫欧 @ 500mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
350pF @ 6V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
820mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
12V
关键词
产品资料
数据列表
DMP1080UCB4
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP1080UCB4-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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1727-4566-1-ND
别名:1727-4566-1
568-5467-1
568-5467-1-ND
无铅
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漏源电压(Vdss) 12V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 12V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 12V
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