DMP2022LSS-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP2022LSS-13
DMP2022LSS-13 -
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP2022LSS-13
仓库库存编号:
DMP2022LSS-13DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP2022LSS-13产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
56.9nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2444pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
DMP2022LSS
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP2022LSS-13DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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别名:RCLAMP0504SCT
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:240-2520-1
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型号:
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仓库库存编号:
490-5137-1-ND
别名:490-5137-1
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:SI1024X-T1-GE3CT
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型号:
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仓库库存编号:
670-2431-1-ND
别名:670-2431-1
无铅
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2444pF @ 10V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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