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产品规格

封装/外壳	6-UFDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	U-DFN2030-6（B 类）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	21.4nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	38 毫欧 @ 3.5A，10V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5.7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	906pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.4V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	900mW
关键词

产品资料

数据列表	DMP2100UFU
标准包装	1
其它名称	DMP2100UFU-7DICT

封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-UFDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 U-DFN2030-6（B 类）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 U-DFN2030-6（B 类）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2030-6（B 类）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 U-DFN2030-6（B 类）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.4nC @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.4nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.4nC @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21.4nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 3.5A，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 3.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 3.5A，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 38 毫欧 @ 3.5A，10V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 906pF @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 906pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 906pF @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 906pF @ 10V   FET 功能 标准  Diodes Incorporated FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.4V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 900mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 900mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 900mW  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 900mW