DMP2104V-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP2104V-7
DMP2104V-7 -
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP2104V-7
仓库库存编号:
DMP2104V-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 860mA(Ta) 850mW(Ta) SOT-563
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP2104V-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-563
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
150 毫欧 @ 950mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
860mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
320pF @ 16V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
850mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
DMP2104V
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP2104V-7DICT
DMP2104VDICT
DMP2104VDICT-ND
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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仓库库存编号:
455-1685-1-ND
别名:455-1685-1
无铅
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ON Semiconductor
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:RB751V40T1GOSCT
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
887-1448-1-ND
别名:887-1448-1
不受无铅要求限制
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 600mW(Ta) SOT-23
型号:
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型号:
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仓库库存编号:
497-16565-1-ND
别名:497-16565-1
无铅
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封装/外壳 SOT-563,SOT-666
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制造商 Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 320pF @ 16V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 850mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 850mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 850mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 850mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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