DMP21D0UT-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP21D0UT-7
DMP21D0UT-7 -
MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP21D0UT-7
仓库库存编号:
DMP21D0UT-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 590mA(Ta) 240mW(Ta) SOT-523
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP21D0UT-7产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-523
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-523
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.54nC @ 8V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
495 毫欧 @ 400mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
590mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
80pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
240mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
DMP21D0UT
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP21D0UT-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
2N7002T-7-F
仓库库存编号:
2N7002T-FDICT-ND
别名:2N7002T-FDICT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 630mA(Ta) 280mW(Ta) SOT-523
型号:
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仓库库存编号:
DMG1012T-7DICT-ND
别名:DMG1012T-7DICT
无铅
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Nexperia USA Inc.
DIODE SCHOTTKY 60V 200MA SOD523
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 200mA(DC) SOD-523
型号:
PMEG6002EB,115
仓库库存编号:
1727-5843-1-ND
别名:1727-5843-1
568-7409-1
568-7409-1-ND
无铅
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PTC RESTTBLE 0.35A 30V CHIP 1206
详细描述:Polymeric PTC Resettable Fuse 30V Ih Surface Mount 1206 (3216 Metric), Concave
型号:
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仓库库存编号:
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别名:507-1801-1
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IC BUFFER UHS 3-STATE 6-MICROPAK
详细描述:Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output 6-MicroPak2?
型号:
NC7SZ125FHX
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别名:NC7SZ125FHXCT
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制造商 Diodes Incorporated
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
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Vgs(最大值) ±8V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.54nC @ 8V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 P 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 590mA(Ta)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 590mA(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 590mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 80pF @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 80pF @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 80pF @ 10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 80pF @ 10V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250μA
功率耗散(最大值) 240mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 240mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 240mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 240mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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