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DMP3056LSS-13
DMP3056LSS-13 -
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP3056LSS-13
仓库库存编号:
DMP3056LSS-13DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 7.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP3056LSS-13产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SOP
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
6.8nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
45 毫欧 @ 6A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.1A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
722pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
DMP3056LSS
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装
1
其它名称
DMP3056LSS-13DICT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Laird-Signal Integrity Products
FERRITE BEAD 100 OHM 1206 1LN
型号:
HI1206N101R-10
仓库库存编号:
240-2408-1-ND
别名:240-2408-1
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
型号:
MMBT2907ALT1G
仓库库存编号:
MMBT2907ALT1GOSCT-ND
别名:MMBT2907ALT1GOSCT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.5W Surface Mount 8-SOP
型号:
DMP3056LSD-13
仓库库存编号:
DMP3056LSD-13DICT-ND
别名:DMP3056LSD-13DICT
无铅
搜索
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes Incorporated 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 8-SOP
Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SOP
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SOP
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.8nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 6A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 45 毫欧 @ 6A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 P 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.1A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 722pF @ 25V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 722pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 722pF @ 25V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 722pF @ 25V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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