DMP3099L-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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DMP3099L-7
DMP3099L-7 -
MOSFET P-CH 30V SOT23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP3099L-7
仓库库存编号:
DMP3099L-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 1.08W(Ta) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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DMP3099L-7产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
65 毫欧 @ 3.8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.8A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
563pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.08W(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
DMP3099L
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP3099L-7DICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
CKN9112CT-ND
别名:*PTS645SM43SMTR LFS
*PTS645SM43SMTR92 LFS
*Y97HT23B2EAFP
CKN9112CT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 720mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN3404L-7
仓库库存编号:
DMN3404LDICT-ND
别名:DMN3404LDICT
无铅
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Nexperia USA Inc.
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详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002P,215
仓库库存编号:
1727-4692-1-ND
别名:1727-4692-1
568-5818-1
568-5818-1-ND
无铅
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Wurth Electronics Inc.
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:732-4978-1
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 900mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN3023L-7
仓库库存编号:
DMN3023L-7DICT-ND
别名:DMN3023L-7DICT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 3.8A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 563pF @ 25V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.08W(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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