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DMP31D0U-7
DMP31D0U-7 -
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP31D0U-7
仓库库存编号:
DMP31D0U-7DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 530mA(Ta) 450mW(Ta) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMP31D0U-7产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
0.9nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
530mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
76pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
450mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
DMP31D0U
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
DMP31D0U-7DICT
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 460mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
FDV304P
仓库库存编号:
FDV304PCT-ND
别名:FDV304PCT
无铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-23
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±8V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.9nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.9nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.9nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 400mA,4.5V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1 欧姆 @ 400mA,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 530mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 76pF @ 15V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 76pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 76pF @ 15V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA
功率耗散(最大值) 450mW(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 450mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 450mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 450mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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