DMP6023LE-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
DMP6023LE-13
DMP6023LE-13 -
MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMP6023LE-13
仓库库存编号:
DMP6023LE-13DICT-ND
描述:
MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 7A(Ta), 18.2A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
DMP6023LE-13产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
53.1nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7A(Ta), 18.2A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2569pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
DMP6023LE
标准包装
1
其它名称
DMP6023LE-13DICT
DMP6023LE-13您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138
仓库库存编号:
BSS138CT-ND
别名:BSS138CT
无铅
搜索
Keystone Electronics
TEST POINT PC MULTI PURPOSE BLK
详细描述:Black PC Test Point, Multipurpose Phosphor Bronze, Silver Plating 0.063" (1.60mm) Hole Diameter Mounting Type
型号:
5011
仓库库存编号:
36-5011-ND
别名:36-5011
5011K
5011K-ND
无铅
搜索
ON Semiconductor
IC BUFF SCHM TRG DL N-INV SOT363
详细描述:Buffer, Non-Inverting Element 1 Bit per Element Push-Pull Output SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NL27WZ17DFT2G
仓库库存编号:
NL27WZ17DFT2GOSCT-ND
别名:NL27WZ17DFT2GOSCT
无铅
搜索
Littelfuse Inc.
PTC RESET 33V 1.85A SMD 2920
详细描述:Polymeric PTC Resettable Fuse 33V Ih Surface Mount 2920 (7351 Metric), Concave
型号:
2920L185DR
仓库库存编号:
F2871CT-ND
别名:F2871CT
无铅
搜索
Bourns Inc.
FERRITE BEAD 30 OHM 0805 1LN
型号:
MH2029-300Y
仓库库存编号:
MH2029-300YCT-ND
别名:MH2029-300YCT
无铅
搜索
DMP6023LE-13相关搜索
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-223
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223
技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 53.1nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 5A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 5A,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 28 毫欧 @ 5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Diodes Incorporated 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
FET 类型 P 沟道
Diodes Incorporated FET 类型 P 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta), 18.2A(Tc)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta), 18.2A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta), 18.2A(Tc)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta), 18.2A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2569pF @ 30V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2569pF @ 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2569pF @ 30V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2569pF @ 30V
FET 功能 -
Diodes Incorporated FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
Diodes Incorporated 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2W(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号