DMPH6050SSDQ-13,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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DMPH6050SSDQ-13
DMPH6050SSDQ-13 -
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
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制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
DMPH6050SSDQ-13
仓库库存编号:
DMPH6050SSDQ-13-ND
描述:
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel 5.2A (Ta) Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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DMPH6050SSDQ-13产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
14.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
48 毫欧 @ 5A,10V
FET 类型
2 个 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1525pF @ 30V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
关键词
产品资料
数据列表
DMPH6050SSDQ
标准包装
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 汽车级,AEC-Q101
Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
供应商器件封装 8-SO
Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 4.5V
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 14.5nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 5A,10V
Diodes Incorporated 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 5A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 48 毫欧 @ 5A,10V
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FET 类型 2 个 P 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A(Ta)
Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.2A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1525pF @ 30V
Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1525pF @ 30V
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FET 功能 标准
Diodes Incorporated FET 功能 标准
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
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