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DMT6002LPS-13 - 

MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

  • 非库存货
Diodes Incorporated DMT6002LPS-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMT6002LPS-13
仓库库存编号：
DMT6002LPS-13-ND
描述：
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：
表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DMT6002LPS-13产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerDI5060-8  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  130.8nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2 毫欧 @ 50A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6555pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2.3W  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 DMT6002LPS
标准包装 2,500

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