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产品规格

封装/外壳	8-PowerTDFN
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	汽车级，AEC-Q101
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	PowerDI5060-8
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	33.5nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	12 毫欧 @ 13.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10.2A（Ta），70A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1925pF @ 30V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
功率耗散（最大值）	2.3W（Ta）, 113W（Tc）
漏源电压（Vdss）	60V
关键词

产品资料

数据列表	DMT69M8LPS
标准包装	1
其它名称	DMT69M8LPS-13DICT

封装/外壳 8-PowerTDFN  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-PowerTDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerTDFN   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 汽车级，AEC-Q101   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PowerDI5060-8  Diodes Incorporated 供应商器件封装 PowerDI5060-8  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerDI5060-8  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerDI5060-8   技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±16V  Diodes Incorporated Vgs（最大值） ±16V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±16V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±16V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.5nC @ 10V  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.5nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.5nC @ 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33.5nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 13.5A，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 13.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 13.5A，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 毫欧 @ 13.5A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Diodes Incorporated 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.2A（Ta），70A（Tc）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.2A（Ta），70A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.2A（Ta），70A（Tc）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.2A（Ta），70A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1925pF @ 30V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA   功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）, 113W（Tc）  Diodes Incorporated 功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）, 113W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）, 113W（Tc）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 2.3W（Ta）, 113W（Tc）   漏源电压（Vdss） 60V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 60V