DSS5160FDB-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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DSS5160FDB-7 - 

TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6

Diodes Incorporated DSS5160FDB-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DSS5160FDB-7
仓库库存编号:
DSS5160FDB-7DICT-ND
描述:
TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 65MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DSS5160FDB-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  U-DFN2020-6(B 类)  
  晶体管类型  2 PNP(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  120 @ 500mA,2V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  550mV @ 50mA,1A  
  频率 - 跃迁  65MHz  
  功率 - 最大值  405mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  1A  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 DSS5160FDB
标准包装 1
其它名称 DSS5160FDB-7DICT

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