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DSS5220TQ-7 - 

SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23

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Diodes Incorporated DSS5220TQ-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
DSS5220TQ-7
仓库库存编号:
DSS5220TQ-7-ND
描述:
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 2A 100MHz 600mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DSS5220TQ-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  汽车级,AEC-Q101  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  225 @ 100mA,2V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  20V  
  Power - Max  600mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  2A  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 100mA,2A  
  频率 - 跃迁  100MHz  
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产品资料
数据列表 DSS5220TQ
标准包装 3,000

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 汽车级,AEC-Q101  Diodes Incorporated 系列 汽车级,AEC-Q101  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级,AEC-Q101  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 汽车级,AEC-Q101   零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 225 @ 100mA,2V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 225 @ 100mA,2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 225 @ 100mA,2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 225 @ 100mA,2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 600mW  Diodes Incorporated Power - Max 600mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 600mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 600mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100mA,2A  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100mA,2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100mA,2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 100mA,2A   频率 - 跃迁 100MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
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