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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-363
晶体管类型	NPN + 齐纳二极管（隔离式）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 100mA，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	18V
Power - Max	200mW
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 30mA，300mA
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

数据列表	DVR1V8W - DVR5V0W
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	DVR5V0WDICT

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-363   晶体管类型 NPN + 齐纳二极管（隔离式）  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN + 齐纳二极管（隔离式）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN + 齐纳二极管（隔离式）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN + 齐纳二极管（隔离式）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 100mA，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 18V   Power - Max 200mW  Diodes Incorporated Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 30mA，300mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 30mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 30mA，300mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 30mA，300mA   频率 - 跃迁 100MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz