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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-223
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 2A，1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	375mV @ 300mA，6A
频率 - 跃迁	130MHz
关键词

产品资料

数据列表	DZT851
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
PCN 其它	Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装	1
其它名称	DZT851DICT

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-223  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 2A，1V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 1W  Diodes Incorporated Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 375mV @ 300mA，6A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 375mV @ 300mA，6A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 375mV @ 300mA，6A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 375mV @ 300mA，6A   频率 - 跃迁 130MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 130MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz