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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 3mA，1V
频率 - 跃迁	2GHz
功率 - 最大值	330mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
增益	15dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	4.5dB @ 200MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	FMMT5179 FMMT5179CT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 3mA，1V   频率 - 跃迁 2GHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 2GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz   功率 - 最大值 330mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 330mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 330mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 330mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V   增益 15dB  Diodes Incorporated 增益 15dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 4.5dB @ 200MHz  Diodes Incorporated 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 4.5dB @ 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 4.5dB @ 200MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 4.5dB @ 200MHz