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FMMT5179TC
FMMT5179TC -
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
FMMT5179TC
仓库库存编号:
FMMT5179TC-ND
描述:
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FMMT5179TC产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
25 @ 3mA,1V
频率 - 跃迁
2GHz
功率 - 最大值
330mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
增益
15dB
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
4.5dB @ 200MHz
关键词
产品资料
标准包装
10,000
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
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包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期
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供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V
Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 25 @ 3mA,1V
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频率 - 跃迁 2GHz
Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 2GHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 2GHz
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功率 - 最大值 330mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 330mW
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电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
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电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V
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增益 15dB
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 15dB
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噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 4.5dB @ 200MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 4.5dB @ 200MHz
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 4.5dB @ 200MHz
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