FZT692BTA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

FZT692BTA - 

TRANS NPN 70V 2A SOT-223

Diodes Incorporated FZT692BTA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FZT692BTA
仓库库存编号：
FZT692BCT-ND
描述：
TRANS NPN 70V 2A SOT-223
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor NPN 70V 2A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FZT692BTA产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-261-4，TO-261AA  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-223  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  150 @ 1A，2V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  70V  
  Power - Max  2W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  2A  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  500mV @ 200mA，2A  
  频率 - 跃迁  150MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 FZT692B
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
PCN 其它 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装 1
其它名称 FZT692B
FZT692BCT

FZT692BTA您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

  • Molex, LLC - 0705430001 - CONN HEADER 2POS .100 VERT GOLD
  • Molex, LLC
    CONN HEADER 2POS .100 VERT GOLD
    详细描述：2 位 接头 连接器 0.100"（2.54mm） 通孔 金

    型号：0705430001
    仓库库存编号：WM4800-ND
    别名：070543-0001
    070543-0001-C
    0705430001-C
    705-43-0001
    705-43-0001-P
    705-43-0001-TB72
    70543-0001
    70543-0001-C
    70543-0001-TB72
    705430001
    705430001-C
    A-70543-0001
    WM4800

  • 无铅
  • 搜索

FZT692BTA相关搜索

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-223  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-223  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1A，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1A，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 1A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V   Power - Max 2W  Diodes Incorporated Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号