FZT694BTA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
>
FZT694BTA
FZT694BTA -
TRANS NPN 120V 1A SOT-223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
FZT694BTA
仓库库存编号:
FZT694BCT-ND
描述:
TRANS NPN 120V 1A SOT-223
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 1A 130MHz 2W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
FZT694BTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
150 @ 400mA,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120V
Power - Max
2W
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 5mA,400mA
频率 - 跃迁
130MHz
关键词
产品资料
数据列表
FZT694B
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装
1
其它名称
FZT694B
FZT694BCT
FZT694BTA您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
TRANS NPN 100V 2A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 175MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
FZT653TA
仓库库存编号:
FZT653CT-ND
别名:FZT653
FZT653CT
无铅
搜索
Lumex Opto/Components Inc.
LED 5MM RELAMPABLE GREEN PC MNT
详细描述:LED Circuit Board Indicator Single Green Diffused, Tinted 2.1V 20mA Round with Domed Top, 5mm (T-1 3/4) Through Hole, Right Angle
型号:
SSF-LXH4RA5GD
仓库库存编号:
67-1294-ND
别名:67-1294
LU20305
SSFLXH4RA5GD
无铅
搜索
Lumex Opto/Components Inc.
LED 5MM RELAMPABLE SUP RED PCMNT
详细描述:LED Circuit Board Indicator Single Red Diffused, Tinted 1.7V 20mA Round with Domed Top, 5mm (T-1 3/4) Through Hole, Right Angle
型号:
SSF-LXH4RA5SRD
仓库库存编号:
67-1296-ND
别名:67-1296
LU2030B1
SSFLXH4RA5SRD
无铅
搜索
ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
MUN5211DW1T1G
仓库库存编号:
MUN5211DW1T1GOSCT-ND
别名:MUN5211DW1T1GOS
MUN5211DW1T1GOS-ND
MUN5211DW1T1GOSCT
无铅
搜索
Molex Connector Corporation
HEADER SHRD SMT/SLOT/PG 14CKT
详细描述:14 位 接头 连接器 0.079"(2.00mm) 表面贴装 金
型号:
87832-1421
仓库库存编号:
WM4231-ND
别名:0878321421
878321421
WM4231
无铅
搜索
FZT694BTA相关搜索
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-223
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 150 @ 400mA,2V
Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 150 @ 400mA,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 150 @ 400mA,2V
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 150 @ 400mA,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Power - Max 2W
Diodes Incorporated Power - Max 2W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 1A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 5mA,400mA
Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 5mA,400mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 5mA,400mA
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 5mA,400mA
频率 - 跃迁 130MHz
Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 130MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 130MHz
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号