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GB0400034
GB0400034 -
CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
GB0400034
仓库库存编号:
GB0400034-ND
描述:
CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
4MHz ±30ppm 晶体 30pF 80 欧姆 -25°C ~ 70°C 通孔 HC49/US
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GB0400034产品属性
产品规格
ESR(等效串联电阻)
80 欧姆
封装/外壳
HC49/US
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
通孔
工作模式
基谐
工作温度
-25°C ~ 70°C
类型
MHz 晶体
系列
SaRonix-eCera? GB
包装
散装
等级
-
负载电容
30pF
高度 - 安装(最大值)
0.138"(3.50mm)
频率
4MHz
频率稳定度
±30ppm
大小/尺寸
0.441" 长 x 0.197" 宽(11.20mm x 5.00mm)
零件状态
在售
频率容差
±30ppm
关键词
产品资料
标准包装
1,000
其它名称
GB0400034CT
GB0400034CT-ND
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Abracon LLC
CRYSTAL 4.0000MHZ 18PF SMD
详细描述:4MHz ±20ppm 晶体 18pF 180 欧姆 -20°C ~ 70°C 表面贴装 HC49/US
型号:
ABLS-4.000MHZ-B2-T
仓库库存编号:
535-9085-1-ND
别名:300-9085-1
300-9085-1-ND
535-9085-1
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
详细描述:肖特基 通孔 二极管 1A DO-41
型号:
1N5819
仓库库存编号:
1N5819FSCT-ND
别名:1N5819FSCT
无铅
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ESR(等效串联电阻) 80 欧姆
Diodes Incorporated ESR(等效串联电阻) 80 欧姆
晶体 ESR(等效串联电阻) 80 欧姆
Diodes Incorporated 晶体 ESR(等效串联电阻) 80 欧姆
封装/外壳 HC49/US
Diodes Incorporated 封装/外壳 HC49/US
晶体 封装/外壳 HC49/US
Diodes Incorporated 晶体 封装/外壳 HC49/US
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 通孔
Diodes Incorporated 安装类型 通孔
晶体 安装类型 通孔
Diodes Incorporated 晶体 安装类型 通孔
工作模式 基谐
Diodes Incorporated 工作模式 基谐
晶体 工作模式 基谐
Diodes Incorporated 晶体 工作模式 基谐
工作温度 -25°C ~ 70°C
Diodes Incorporated 工作温度 -25°C ~ 70°C
晶体 工作温度 -25°C ~ 70°C
Diodes Incorporated 晶体 工作温度 -25°C ~ 70°C
类型 MHz 晶体
Diodes Incorporated 类型 MHz 晶体
晶体 类型 MHz 晶体
Diodes Incorporated 晶体 类型 MHz 晶体
系列 SaRonix-eCera? GB
Diodes Incorporated 系列 SaRonix-eCera? GB
晶体 系列 SaRonix-eCera? GB
Diodes Incorporated 晶体 系列 SaRonix-eCera? GB
包装 散装
Diodes Incorporated 包装 散装
晶体 包装 散装
Diodes Incorporated 晶体 包装 散装
等级 -
Diodes Incorporated 等级 -
晶体 等级 -
Diodes Incorporated 晶体 等级 -
负载电容 30pF
Diodes Incorporated 负载电容 30pF
晶体 负载电容 30pF
Diodes Incorporated 晶体 负载电容 30pF
高度 - 安装(最大值) 0.138"(3.50mm)
Diodes Incorporated 高度 - 安装(最大值) 0.138"(3.50mm)
晶体 高度 - 安装(最大值) 0.138"(3.50mm)
Diodes Incorporated 晶体 高度 - 安装(最大值) 0.138"(3.50mm)
频率 4MHz
Diodes Incorporated 频率 4MHz
晶体 频率 4MHz
Diodes Incorporated 晶体 频率 4MHz
频率稳定度 ±30ppm
Diodes Incorporated 频率稳定度 ±30ppm
晶体 频率稳定度 ±30ppm
Diodes Incorporated 晶体 频率稳定度 ±30ppm
大小/尺寸 0.441" 长 x 0.197" 宽(11.20mm x 5.00mm)
Diodes Incorporated 大小/尺寸 0.441" 长 x 0.197" 宽(11.20mm x 5.00mm)
晶体 大小/尺寸 0.441" 长 x 0.197" 宽(11.20mm x 5.00mm)
Diodes Incorporated 晶体 大小/尺寸 0.441" 长 x 0.197" 宽(11.20mm x 5.00mm)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
晶体 零件状态 在售
Diodes Incorporated 晶体 零件状态 在售
频率容差 ±30ppm
Diodes Incorporated 频率容差 ±30ppm
晶体 频率容差 ±30ppm
Diodes Incorporated 晶体 频率容差 ±30ppm
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