HBDM60V600W-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
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HBDM60V600W-7 - 

TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

Diodes Incorporated HBDM60V600W-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HBDM60V600W-7
仓库库存编号：
HBDM60V600WDICT-ND
描述：
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HBDM60V600W-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-363  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  400mV @ 10mA，100mA / 500mV @ 50mA，500mA  
  频率 - 跃迁  100MHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  500mA，600mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  65V，60V  
关键词         

产品资料
数据列表 HBDM60V600W
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 HBDM60V600WDICT

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