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• 不提供增值包装；备有另选包装。

产品规格

封装/外壳	SOT-23-6
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	SOT-26
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA
频率 - 跃迁	250MHz
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	LBN150B01
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	LBN150B01DICT

封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-26  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26   晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 100mA，1V / 32 @ 100mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 360mV @ 20mA，200mA / 500mV @ 20mA，200mA   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 250MHz   功率 - 最大值 300mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V