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MMBD4148W-7-F
MMBD4148W-7-F -
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
MMBD4148W-7-F
仓库库存编号:
MMBD4148W-FDICT-ND
描述:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准 表面贴装 二极管 150mA SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMBD4148W-7-F产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-323
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
1μA @ 75V
反向恢复时间(trr)
4ns
电流 - 平均整流(Io)
150mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.25V @ 150mA
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
二极管类型
标准
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
75V
不同?Vr,F 时的电容
2pF @ 0V,1MHz
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
关键词
产品资料
数据列表
BAS16W, MMBD4148W
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
MMBD4148W-FDICT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 200mA SOT-23-3
型号:
BAS16-7-F
仓库库存编号:
BAS16-FDICT-ND
别名:BAS16-FDICT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 700mA, 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
型号:
FDG6332C
仓库库存编号:
FDG6332CCT-ND
别名:FDG6332CCT
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
BC847W,115
仓库库存编号:
1727-4854-1-ND
别名:1727-4854-1
568-6069-1
568-6069-1-ND
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88
型号:
BCM857BS,115
仓库库存编号:
1727-4883-1-ND
别名:1727-4883-1
568-6100-1
568-6100-1-ND
无铅
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70,SOT-323
二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Diodes Incorporated
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二极管 - 整流器 - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 SOT-323
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反向恢复时间(trr) 4ns
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不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.25V @ 150mA
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工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C
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电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 75V
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二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 75V
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不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 0V,1MHz
Diodes Incorporated 不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 0V,1MHz
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 2pF @ 0V,1MHz
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速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Diodes Incorporated 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管 - 整流器 - 单 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
Diodes Incorporated 二极管 - 整流器 - 单 速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
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