MMBTH10-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
>
MMBTH10-7
MMBTH10-7 -
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
Digi-Key已停止供应这个产品,现只提供有限数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
MMBTH10-7
仓库库存编号:
MMBTH10DICT-ND
描述:
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
MMBTH10-7产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
SOT-23-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
60 @ 4mA,10V
频率 - 跃迁
650MHz
功率 - 最大值
300mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
25V
增益
-
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)
-
关键词
产品资料
数据列表
MMBTH10
标准包装
1
其它名称
MMBTH107
MMBTH10CT
MMBTH10CT-ND
MMBTH10DICT
MMBTH10-7ROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
详细描述:RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
型号:
MMBTH10-7-F
仓库库存编号:
MMBTH10-FDICT-ND
别名:MMBTH10-FDICT
无铅
搜索
MMBTH10-7相关搜索
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)
零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 零件状态 已不再提供
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 已不再提供
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 已不再提供
供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V
Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V
频率 - 跃迁 650MHz
Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 650MHz
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 650MHz
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 650MHz
功率 - 最大值 300mW
Diodes Incorporated 功率 - 最大值 300mW
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
Diodes Incorporated 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V
增益 -
Diodes Incorporated 增益 -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
Diodes Incorporated 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号