MMBTH10-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MMBTH10-7 - 

TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3

  • Digi-Key已停止供应这个产品,现只提供有限数量。
Diodes Incorporated MMBTH10-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMBTH10-7
仓库库存编号:
MMBTH10DICT-ND
描述:
TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 25V 50mA 650MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MMBTH10-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SOT-23-3  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  60 @ 4mA,10V  
  频率 - 跃迁  650MHz  
  功率 - 最大值  300mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  50mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  25V  
  增益  -  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 MMBTH10
标准包装 1
其它名称 MMBTH107
MMBTH10CT
MMBTH10CT-ND
MMBTH10DICT

MMBTH10-7ROHS替代

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MMBTH10-7相关搜索

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 60 @ 4mA,10V   频率 - 跃迁 650MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 650MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 650MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 650MHz   功率 - 最大值 300mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 25V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 25V   增益 -  Diodes Incorporated 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Diodes Incorporated 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号