MMBZ5228BS-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 阵列
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MMBZ5228BS-7
MMBZ5228BS-7 -
DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363
Chip Outpost
- 购买前请查明条款和条件中关于 Chip Outpost 产品的条款规定。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
MMBZ5228BS-7
仓库库存编号:
981-MMBZ5228BS-7-CHP
描述:
DIODE ZENER ARRAY 3.9V SOT363
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
Zener Diode Array 2 Independent 200mW ±5% SOT-363
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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MMBZ5228BS-7产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-363
容差
±5%
配置
2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
900mV @ 10mA
Power - Max
200mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
3.9V
阻抗(最大值)(Zzt)
23 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
MMBZ5221BS - 5259BS
标准包装
3,000
其它名称
MMBZ5228BS7
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C
二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
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包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Diodes Incorporated 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-363
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363
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容差 ±5%
Diodes Incorporated 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±5%
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±5%
配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 配置 2 个独立式
二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 2 个独立式
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
Diodes Incorporated 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Diodes Incorporated 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 900mV @ 10mA
Power - Max 200mW
Diodes Incorporated Power - Max 200mW
二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 200mW
Diodes Incorporated 二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 200mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9V
Diodes Incorporated 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9V
二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 3.9V
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阻抗(最大值)(Zzt) 23 Ohms
Diodes Incorporated 阻抗(最大值)(Zzt) 23 Ohms
二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗(最大值)(Zzt) 23 Ohms
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