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产品规格

封装/外壳	6-SMD，无引线
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-DFN1310H4（1.0x1.3）
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 10mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz，250MHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

数据列表	MMDT3946LP4
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	3,000
其它名称	MMDT3946LP4-7-ND MMDT3946LP4-7DITR

封装/外壳 6-SMD，无引线  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-SMD，无引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，无引线  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，无引线   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Diodes Incorporated 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-DFN1310H4（1.0x1.3）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 6-DFN1310H4（1.0x1.3）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6-DFN1310H4（1.0x1.3）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 6-DFN1310H4（1.0x1.3）   晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 10mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA / 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz，250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 300MHz，250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz，250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz，250MHz   功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V