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产品规格

封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-363
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 2mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	300MHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	25V
关键词

产品资料

数据列表	MMDT4124
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	MMDT4124-FDICT

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-363   晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，1V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，1V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 300MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 300MHz   功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 200mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 25V