MMDTA06-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MMDTA06-7 - 

TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26

Diodes Incorporated MMDTA06-7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMDTA06-7
仓库库存编号:
MMDTA06-7DICT-ND
描述:
TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 80V 500mA 163MHz 900mW Surface Mount SOT-26
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MMDTA06-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-26  
  晶体管类型  2 NPN(双)  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  100 @ 10mA,1V  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  250mV @ 10mA,100mA  
  频率 - 跃迁  163MHz  
  功率 - 最大值  900mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  500mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  80V  
关键词         

产品资料
数据列表 MMDTA06
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
PCN 其它 Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装 1
其它名称 MMDTA06-7DICT

MMDTA06-7您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

MMDTA06-7相关搜索

封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-26  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26   晶体管类型 2 NPN(双)  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 NPN(双)  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN(双)  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN(双)   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V  Diodes Incorporated 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA  Diodes Incorporated 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 250mV @ 10mA,100mA   频率 - 跃迁 163MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 163MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 163MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 163MHz   功率 - 最大值 900mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 900mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 900mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 900mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 500mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 80V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿(最大值) 80V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 80V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿(最大值) 80V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号