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产品规格

封装/外壳	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
系列	汽车级，AEC-Q101
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-353
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	-
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	-
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k，10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k，47k
功率 - 最大值	290mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	UMC4NQ
标准包装	3,000

封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Diodes Incorporated 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 系列 汽车级，AEC-Q101  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 汽车级，AEC-Q101  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 汽车级，AEC-Q101   零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-353  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-353  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-353  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SOT-353   晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） -   电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） -   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k，10k  Diodes Incorporated 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k，10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k，10k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k，10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k，47k  Diodes Incorporated 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k，47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k，47k  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k，47k   功率 - 最大值 290mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 290mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 290mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 290mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V