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ZC831BTA
ZC831BTA -
DIODE VAR CAP 15PF 25V SOT23-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZC831BTA
仓库库存编号:
ZC831BCT-ND
描述:
DIODE VAR CAP 15PF 25V SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor Single 25V Surface Mount SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZC831BTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3
二极管类型
单一
不同?Vr,F 时的电容
15.75pF @ 2V,1MHz
电容比
6
电容比条件
C2/C20
不同 Vr,F 时的 Q 值
300 @ 3V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
25V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
ZC831BCT
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -
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包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-23-3
二极管类型 单一
Diodes Incorporated 二极管类型 单一
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 单一
不同?Vr,F 时的电容 15.75pF @ 2V,1MHz
Diodes Incorporated 不同?Vr,F 时的电容 15.75pF @ 2V,1MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 15.75pF @ 2V,1MHz
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 15.75pF @ 2V,1MHz
电容比 6
Diodes Incorporated 电容比 6
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 6
电容比条件 C2/C20
Diodes Incorporated 电容比条件 C2/C20
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C20
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C2/C20
不同 Vr,F 时的 Q 值 300 @ 3V,50MHz
Diodes Incorporated 不同 Vr,F 时的 Q 值 300 @ 3V,50MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 300 @ 3V,50MHz
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 300 @ 3V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max) 25V
Diodes Incorporated Voltage - Peak Reverse (Max) 25V
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 25V
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