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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23
二极管类型	单一
不同?Vr，F 时的电容	12pF @ 4V，50MHz
电压 - 峰值反向（最大值）	12V
电容比	-
电容比条件	-
不同 Vr，F 时的 Q 值	150 @ 4V，50MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	ZC933A ZC933ACT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Diodes Incorporated 工作温度 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 工作温度 -   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 SOT-23  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 供应商器件封装 SOT-23   二极管类型 单一  Diodes Incorporated 二极管类型 单一  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 二极管类型 单一   不同?Vr，F 时的电容 12pF @ 4V，50MHz  Diodes Incorporated 不同?Vr，F 时的电容 12pF @ 4V，50MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 12pF @ 4V，50MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同?Vr，F 时的电容 12pF @ 4V，50MHz   电压 - 峰值反向（最大值） 12V  Diodes Incorporated 电压 - 峰值反向（最大值） 12V  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电压 - 峰值反向（最大值） 12V  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电压 - 峰值反向（最大值） 12V   电容比 -  Diodes Incorporated 电容比 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比 -   电容比条件 -  Diodes Incorporated 电容比条件 -  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 -  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 电容比条件 -   不同 Vr，F 时的 Q 值 150 @ 4V，50MHz  Diodes Incorporated 不同 Vr，F 时的 Q 值 150 @ 4V，50MHz  二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 150 @ 4V，50MHz  Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器） 不同 Vr，F 时的 Q 值 150 @ 4V，50MHz