ZMDC953TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
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ZMDC953TA
ZMDC953TA -
DIODE VARACTOR LV 45PF SC70-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZMDC953TA
仓库库存编号:
ZMDC953TACT-ND
描述:
DIODE VARACTOR LV 45PF SC70-3
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Varactor 1 Pair Common Cathode 12V Surface Mount SOT-323
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZMDC953TA产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-323
二极管类型
1 对共阴极
不同?Vr,F 时的电容
37pF @ 1.5V,1MHz
电容比
2
电容比条件
C0.5/C2.5
不同 Vr,F 时的 Q 值
250 @ 0.5V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max)
12V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
ZMDC953ATACT
ZMDC953ATACT-ND
ZMDC953TACT
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 封装/外壳 SC-70,SOT-323
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 安装类型 表面贴装
工作温度 -
Diodes Incorporated 工作温度 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 工作温度 -
系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 系列 -
包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 包装 剪切带(CT)
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-323
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-323
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 供应商器件封装 SOT-323
二极管类型 1 对共阴极
Diodes Incorporated 二极管类型 1 对共阴极
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 1 对共阴极
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 二极管类型 1 对共阴极
不同?Vr,F 时的电容 37pF @ 1.5V,1MHz
Diodes Incorporated 不同?Vr,F 时的电容 37pF @ 1.5V,1MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 37pF @ 1.5V,1MHz
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同?Vr,F 时的电容 37pF @ 1.5V,1MHz
电容比 2
Diodes Incorporated 电容比 2
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 2
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比 2
电容比条件 C0.5/C2.5
Diodes Incorporated 电容比条件 C0.5/C2.5
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C0.5/C2.5
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 电容比条件 C0.5/C2.5
不同 Vr,F 时的 Q 值 250 @ 0.5V,50MHz
Diodes Incorporated 不同 Vr,F 时的 Q 值 250 @ 0.5V,50MHz
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 250 @ 0.5V,50MHz
Diodes Incorporated 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) 不同 Vr,F 时的 Q 值 250 @ 0.5V,50MHz
Voltage - Peak Reverse (Max) 12V
Diodes Incorporated Voltage - Peak Reverse (Max) 12V
二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器) Voltage - Peak Reverse (Max) 12V
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