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产品规格

封装/外壳	SOT-23-6
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SOT-26
晶体管类型	2 NPN（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 500mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	10nA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	270mV @ 50mA，1A
频率 - 跃迁	215MHz
功率 - 最大值	1.1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	1A
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 封装/外壳 SOT-23-6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-23-6   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-26  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 SOT-26   晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 200 @ 500mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 10nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 270mV @ 50mA，1A   频率 - 跃迁 215MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 215MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 215MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 215MHz   功率 - 最大值 1.1W  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 1.1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1.1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V