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产品规格

封装/外壳	E-Line-3，成型引线
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	在售
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型	NPN 雪崩模式
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	25 @ 10mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Power - Max	680mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁	40MHz
关键词

产品资料

数据列表	ZTX415STZ
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	2,000

封装/外壳 E-Line-3，成型引线  Diodes Incorporated 封装/外壳 E-Line-3，成型引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 E-Line-3，成型引线  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 E-Line-3，成型引线   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带盒（TB）   Diodes Incorporated 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）   晶体管类型 NPN 雪崩模式  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN 雪崩模式  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN 雪崩模式  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN 雪崩模式   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 10mA，10V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 10mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 10mA，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 25 @ 10mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V   Power - Max 680mW  Diodes Incorporated Power - Max 680mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 680mW  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 680mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 1mA，10mA  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 1mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 1mA，10mA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 1mA，10mA   频率 - 跃迁 40MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 40MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 40MHz