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产品规格

封装/外壳	E-Line-3
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	2000 @ 500mA，10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Power - Max	1W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.2V @ 10mA，1A
频率 - 跃迁	250MHz
关键词

产品资料

数据列表	ZTX600,1
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	4,000

封装/外壳 E-Line-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 E-Line-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 E-Line-3  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 E-Line-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Diodes Incorporated 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）   晶体管类型 NPN - 达林顿  Diodes Incorporated 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 2000 @ 500mA，10V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V   Power - Max 1W  Diodes Incorporated Power - Max 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA   Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 10mA，1A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 10mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 10mA，1A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.2V @ 10mA，1A   频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 250MHz