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ZVN3306FTC
ZVN3306FTC -
MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZVN3306FTC
仓库库存编号:
ZVN3306FTC-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 0.15A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 150mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZVN3306FTC产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SOT-23-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
150mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
35pF @ 18V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
ZVN3306F
标准包装
10,000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVN3306FTA
仓库库存编号:
ZVN3306FCT-ND
别名:ZVN3306F
ZVN3306FCT
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
安装类型 表面贴装
Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Diodes Incorporated 系列 -
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
Diodes Incorporated 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 SOT-23-3
Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Diodes Incorporated 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Diodes Incorporated Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 60V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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