ZVN4525E6TA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ZVN4525E6TA
ZVN4525E6TA -
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZVN4525E6TA
仓库库存编号:
ZVN4525E6CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZVN4525E6TA产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-6
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±40V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
3.65nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.4V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
230mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
72pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.8V @ 1mA
功率耗散(最大值)
1.1W(Ta)
漏源电压(Vdss)
250V
关键词
产品资料
数据列表
ZVN4525E6
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
PCN 其它
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013
标准包装
1
其它名称
ZVN4525E6CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 P 沟道 197mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZVP4525E6TA
仓库库存编号:
ZVP4525E6CT-ND
别名:ZVP4525E6CT
无铅
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仓库库存编号:
576-1729-1-ND
别名:576-1729-1
无铅
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Diodes Incorporated
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详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 290mW(Ta) SOT-323
型号:
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仓库库存编号:
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别名:DMG1012UW-7DICT
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Nexperia USA Inc.
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详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Ta) 350mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
2N7002P,215
仓库库存编号:
1727-4692-1-ND
别名:1727-4692-1
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568-5818-1-ND
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制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 250V
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