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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	-
包装	散装
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	10 欧姆 @ 250mA，5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，5V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	180mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	85pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	200V
关键词

产品资料

标准包装	2,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  Diodes Incorporated 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   Diodes Incorporated 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Diodes Incorporated 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-92-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Diodes Incorporated Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 250mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 250mA，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 250mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 欧姆 @ 250mA，5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，5V  Diodes Incorporated 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，5V   FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180mA（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180mA（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 180mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 85pF @ 25V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Diodes Incorporated 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 200V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V