ZVP2106A,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ZVP2106A
ZVP2106A -
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZVP2106A
仓库库存编号:
ZVP2106A-ND
描述:
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 280mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZVP2106A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
280mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
100pF @ 18V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
ZVP2106A
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
4,000
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN2106A
仓库库存编号:
ZVN2106A-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000
仓库库存编号:
2N7000FS-ND
别名:2N7000FS
无铅
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Texas Instruments
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详细描述:Comparator General Purpose DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL 8-PDIP
型号:
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仓库库存编号:
296-1389-5-ND
别名:296-1389
296-1389-5
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 400mW(Ta) TO-92-3
型号:
2N7000TA
仓库库存编号:
2N7000TACT-ND
别名:2N7000TACT
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP2106N3-G
仓库库存编号:
VP2106N3-G-ND
无铅
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制造商 Diodes Incorporated
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 通孔
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
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Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 700mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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