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产品规格

封装/外壳	E-Line-3
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	25 欧姆 @ 150mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	120mA（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	100pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	200V
关键词

产品资料

数据列表	ZVP2120A
标准包装	2,000

封装/外壳 E-Line-3  Diodes Incorporated 封装/外壳 E-Line-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 E-Line-3  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 E-Line-3   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 通孔  Diodes Incorporated 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）   技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Diodes Incorporated Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 欧姆 @ 150mA，10V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 欧姆 @ 150mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 欧姆 @ 150mA，10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 欧姆 @ 150mA，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Diodes Incorporated 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 P 沟道  Diodes Incorporated FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120mA（Ta）  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120mA（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120mA（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 120mA（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 25V   FET 功能 -  Diodes Incorporated FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1mA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1mA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Diodes Incorporated 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 200V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 200V