ZVP3310FTA,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ZVP3310FTA
ZVP3310FTA -
MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
制造商产品编号:
ZVP3310FTA
仓库库存编号:
ZVP3310FCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 75mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ZVP3310FTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Diodes Incorporated
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
20 欧姆 @ 150mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
75mA(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1mA
功率耗散(最大值)
330mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
ZVP3310F
RoHS指令信息
RoHS Cert of Compliance
标准包装
1
其它名称
ZVP3310F
ZVP3310FCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 330mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZVN3310FTA
仓库库存编号:
ZVN3310FCT-ND
别名:BST82
ZVN3310F
ZVN3310FCT
无铅
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仓库库存编号:
455-1658-ND
别名:(Q)B3B-ZR(LF)(SN)
455-1658
B3BZRLFSN
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型号:
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仓库库存编号:
296-43636-1-ND
别名:296-43636-1
含铅
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Diodes Incorporated 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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制造商 Diodes Incorporated
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Diodes Incorporated
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 75mA(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
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功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 100V
Diodes Incorporated 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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