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产品规格

封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
制造商	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	8-MLP（2x3）
晶体管类型	PNP + 二极管（隔离式）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	150 @ 2A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Power - Max	3W
电流 - 集电极截止（最大值）	25nA
Current - Collector (Ic) (Max)	3.5A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 300mA，3.5A
频率 - 跃迁	180MHz
关键词

产品资料

数据列表	ZX3CD2S1M832TA
RoHS指令信息	RoHS Cert of Compliance
标准包装	1
其它名称	ZX3CD2S1M832CT

封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 8-VDFN 裸露焊盘   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Diodes Incorporated 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 8-MLP（2x3）  Diodes Incorporated 供应商器件封装 8-MLP（2x3）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 8-MLP（2x3）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 8-MLP（2x3）   晶体管类型 PNP + 二极管（隔离式）  Diodes Incorporated 晶体管类型 PNP + 二极管（隔离式）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP + 二极管（隔离式）  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP + 二极管（隔离式）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  Diodes Incorporated 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 150 @ 2A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Diodes Incorporated Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 3W  Diodes Incorporated Power - Max 3W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3W  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 3W   电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  Diodes Incorporated 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 25nA   Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  Diodes Incorporated Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3.5A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 300mA，3.5A  Diodes Incorporated 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 300mA，3.5A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 300mA，3.5A  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 300mA，3.5A   频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 频率 - 跃迁 180MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 180MHz  Diodes Incorporated 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 180MHz